簡要描述:ENJ2010 IGBT便攜式半導體靜態(tài)參數(shù)測試儀,是一種全新的功率半導體器件參數(shù)測試儀器,可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測試。儀器與配套電腦連接使用,通過友好人機界面操作,便于各 測試參數(shù)的組合、數(shù)據(jù)結果以表格形式呈現(xiàn),具有使用便捷、測試精度高等優(yōu)點,適合于各測試器件使用現(xiàn)場及產(chǎn)線維護場合使用。
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Product Category詳細介紹
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ENJ2010 IGBT便攜式半導體靜態(tài)參數(shù)測試儀
系統(tǒng)概述:
IGBT作為目前主流的電力半導體開關器件,已廣泛應用于電力電子相關行業(yè),一臺輕巧便攜的測試儀就顯得尤為重要。便攜式IGBT測試儀,是一種全新的功率半導體器件參數(shù)測試儀器,可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測試。儀器與配套電腦連接使用,通過友好人機界面操作,便于各 測試參數(shù)的組合、數(shù)據(jù)結果以表格形式呈現(xiàn),具有使用便捷、測試精度高等優(yōu)點,適合于各測試器件使用現(xiàn)場及產(chǎn)線維護場合使用。
該測試系統(tǒng)具有如下特點:
該測試系統(tǒng)是一套綜合參數(shù)測試系統(tǒng),對設備自身的抗干擾能力要求較高,因此難度比較 大;
該測試系統(tǒng)采用自動控制,測試可按測試員設定的程序進行自動測試;
該系統(tǒng)采用計算機記錄測試結果,并可將測試結果轉化為 EXCEL 文件進行處理。
該測試系統(tǒng)主要由以下部分組成:
柵極-發(fā)射極漏電流測試單元
柵極-發(fā)射極閾值電壓測試單元
集電極-發(fā)射極電壓測試單元
集電極-發(fā)射極飽和電壓測試單元
二極管壓降測試單元
二極管反向擊穿電壓測試單元
ENJ2010 IGBT便攜式半導體靜態(tài)參數(shù)測試儀
測試范圍/Test range
柵極/Gate 發(fā)射極/Emitter | VGES:1-40V 分辨率/Resolving power 0.1V IGES:0.1-10Ua 分辨率/Resolving power 0.01uA Vce:0V |
集電極/Collector 發(fā)射極/Emitter | Vces:100-3000V 分辨率/Resolving power 10V Ices:100uA-5mA 分辨率/Resolving power 10uA |
柵極發(fā)射極閾值電壓 Grid emitter threshold voltage | Vge(th):1-10V 分辨率/Resolving power 0.1V |
集電極Collector/發(fā)射極Emitter 飽和電壓/Saturation voltage | VCE(sat):0.2-5V 分辨率/Resolving power 0.01V ICE:10-100A 分辨率/Resolving power 1A |
二極管/Diode 壓降/Pressure drop | VF:0.01-5V 分辨率/Resolving power 0.01V IF:1-100A 分辨率/Resolving power 1A Vge:0V |
二極管反向最大/Diode reversal maximum 可恢復直流電壓/Recover dc voltage | Vces:100-3000V 分辨率/Resolving power 10V Ices:100uA-5mA 分辨率/Resolving power 10uA |
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