ENJ2005-B半導體分立器件測試系統

系統概述：

設備擴展性強，通過選件可以提高電流和測試范圍。支持電流階梯升級至1250A。采用脈沖測試法，脈沖寬度為美軍標規定的300uS。在PC窗口提示下輸 入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。被測器件引腳接觸自動判斷功能。系統采用帶有開爾文感應結構的測試工裝，自動補償由于系統內部及測試電 纜長度引起的壓降，保證測試結果準確可靠。 面板顯示裝置可及時顯示系統的各種工作狀態和測試結果,前面板的功能按鍵方便了系統操作。通過功能按鍵，系統可以脫離主控計算機獨立完成多種工 作。系統提供與機械手、探針臺、電腦的連接口，可以支持各種不同輔助設備的連接使用。

ENJ2005-B半導體分立器件測試系統測試參數：

漏電參數：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

擊穿參數：BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO

增益參數：hFE、CTR、gFS、

導通參數：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)

混合參數：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation

關斷參數：VGSOFF      

觸發參數：IGT、VGT

保持參數：IH、IH+、IH-

鎖定參數：IL、IL+、IL-

基礎配置：

測試范圍：

測試范圍：