功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

產(chǎn)品詳情

型      號(hào)：KC3120

功能簡(jiǎn)介：KC3120功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可針對(duì)各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，如開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、開通損耗、...

設(shè)備簡(jiǎn)介

KC3120功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可針對(duì)各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，如開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺(tái)電壓、反向恢復(fù)時(shí)間、反向恢復(fù)充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化率、反向恢復(fù)電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、短路。

通過更換不同的測(cè)試單元以達(dá)到對(duì)應(yīng)測(cè)試內(nèi)容，通過軟件切換可以選擇測(cè)試單元、測(cè)試項(xiàng)目及配置測(cè)試參數(shù)、 讀取保存測(cè)試結(jié)果。

參考標(biāo)準(zhǔn)

IEC 60747-8/9 半導(dǎo)體分立器件第8/9部分/JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

設(shè)備特點(diǎn)

KC-3120系 統(tǒng) 包 含 ： 硬 件 平 臺(tái) + 實(shí) 時(shí) 軟 件 ， 其 中 硬 件 平 臺(tái) 包含 ： 信號(hào)源（模塊）、FTP低壓電源、FTP高壓電源、示波器、測(cè)量采集控制模塊、測(cè)試夾具（可加熱）等，主要特點(diǎn)如下:

高靈活度：多種驅(qū)動(dòng)板配置，覆蓋高壓／中壓／低壓器件測(cè)試和雪崩測(cè)試（可選）；

高精度測(cè)試：高共模仰制比的高壓差分光隔離探頭（可選）滿足SiC/GaN半導(dǎo)體器件更高母線電壓和更快開關(guān)時(shí)間的測(cè)量挑戰(zhàn)要求；低回路電感設(shè)計(jì)（＜5OnH寄生電感）；

高效率：可進(jìn)行開關(guān)參數(shù)／動(dòng)態(tài)柵極電荷／動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻／短路／雪崩測(cè)試，單次測(cè)試即可完成開關(guān)特性和反向恢復(fù)特性測(cè)試；

具備數(shù)據(jù)管理功能，上位機(jī)可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)曲線、報(bào)告及自動(dòng)保存；

保護(hù)功能：具備器件防呆，對(duì)于帶電、高溫開箱、測(cè)試參數(shù)異常、驅(qū)動(dòng)電路異常可實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能，

內(nèi)部模塊化設(shè)計(jì)，支持支持?jǐn)U展外接標(biāo)準(zhǔn)儀表，客制化；

軟件系統(tǒng)

技術(shù)參數(shù)